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团队关于磁通门传感器探测的研究成果发表在IEEE Electron Device Letters

[2022-10-20]

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团队在MEMS磁通门传感器探测领域取得了新的研究进展，提出结合锁相放大电路的新探测结构，相关研究成果以”Highly-Sensitive MEMS Micro-Fluxgate Magnetometer”为题目，于2022年7月收录于国际知名期刊IEEE Electron Device Letters，第一作者为硕士研究生王子溦，高俊奇教授为论文的通讯作者。

在MEMS磁通门探测中，通过结合混合锁相放大电路，在保证系统探测精度的基础上，提高了系统整体的灵敏度，实现了在1.27V/Oe灵敏度的基础上，探测精度达到6nT的进步，在微弱信号探测领域取得了重要进展，具有重要的工程应用和实际意义。